一. 熱阻抗的定義：
我們今天要談及的MOSFET的熱阻模型其實(shí)是指熱阻抗Zth，它包含了兩部分：熱阻和熱容，即Zth=Rth+Cth。他們都是MOSFET固有的物理屬性。
熱阻Rth：是指當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值。
熱容Cth：當(dāng)一系統(tǒng)由于加給一微小的熱量dQ而溫度升高dT時(shí)，dQ/dT 這個(gè)量即是該系統(tǒng)的熱容。
如果作用在MOSFET上的是瞬時(shí)的脈沖功率，由于熱容的效應(yīng)，元件體現(xiàn)出的熱阻抗較小；如果元件承受了>1s的脈沖功率，元件趨近達(dá)到熱平衡，熱容的效果將不復(fù)存在，Zth幾乎和Rth相等。下面的的瞬時(shí)熱阻抗圖就說(shuō)明了這一特性：
結(jié)點(diǎn)溫升：根據(jù)熱阻抗的定義，要想計(jì)算出結(jié)點(diǎn)溫升，那么就需要作用在MOSFET上的脈沖功率及元件的熱阻抗值，然后用下面的公式就可以計(jì)算出溫升：
二. RC熱阻模型的建立
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。具體的等效對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表：
根據(jù)這樣的等效關(guān)系，我們就可以將元件的熱阻抗Zth以電子的R和C來(lái)呈現(xiàn)出來(lái)，并通過(guò)電路仿真的方法求得元件的溫升值。
這種模型的等效也是各大MOSFET供應(yīng)商認(rèn)可的較快速的評(píng)估方法。
三. 基于LTspice的熱仿真實(shí)例
下面的實(shí)例是一個(gè)MOSFET的高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其中右側(cè)的C1，C2，C3，C4，R4，R5，R6和R7組成的是元件的熱阻模型，其中的電容值和電阻值也都是根據(jù)供應(yīng)商給出的模型進(jìn)行設(shè)定的。將電流源激勵(lì)B1的值設(shè)為作用在元件上的功率值，Vmb1為元件焊接襯底的初始值，當(dāng)運(yùn)行LTspice后，電流源B1后的電壓值即為元件結(jié)合點(diǎn)溫度Tj。
綜上所示，MOSFET的RC熱阻模型為我們?cè)脑O(shè)計(jì)選型提供較為簡(jiǎn)單快速的評(píng)估方法，將設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)降低！以上的內(nèi)容希望對(duì)大家有所幫助，也希望大家給予反饋和指正！
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