來源：ZDNet Korea
近日，三星已啟動下一代旗艦 SoC Exynos 2600 的試產工作，標志著該芯片進入原型生產階段。此次試產采用三星先進的 SF2（2nm）工藝，初期良品率目標為 50%，而大規模量產需將這一指標提升至 70% 以上。
為應對高性能芯片的散熱難題，三星計劃為 Exynos 2600 引入 HPB（Heat Pass Block）技術。HPB 本質是集成在芯片上的高效散熱器，可顯著提升散熱效率，幫助 SoC 更長時間維持最高運行頻率。與當前直接將 DRAM 置于 SoC 之上的封裝方式不同，Exynos 2600 將同時集成 HPB 模塊和 DRAM，通過 HPB 優化熱傳導路徑，提升整體散熱性能。此外，三星還將在 HPB 頂部采用扇出型晶圓級封裝（FoWLP）技術 —— 該技術已應用于 Exynos 2400，可增強芯片耐熱性并支持更強的多核性能。根據泄露信息，Exynos 2600 采用 “2+6” 雙叢集 CPU 架構，包含 2 個高性能 Cortex-X 核心和 6 個 Cortex-A 核心，最高頻率達 3.55GHz。原型芯片基準測試顯示，其單核約 2400 分、多核約 9400 分，與搭載 Exynos 2500 的 Galaxy S25 + 原型機（單核 2359 分 / 多核 8141 分）相比，初期性能提升幅度有限。三星期望通過 HPB 等散熱技術的應用，使 Exynos 2600 在量產時實現更高的穩定運行頻率和更持久的峰值性能輸出。
標簽：
芯片元器件 點擊：
版權聲明：除非特別標注，否則均為本站原創文章，轉載時請以鏈接形式注明文章出處。
