電子設(shè)備設(shè)計中功耗、尺寸和溫度的演變
過去，導(dǎo)致系統(tǒng)故障的主要原因是關(guān)鍵元器件過熱。在一些系統(tǒng)的最熱點上，半導(dǎo)體結(jié)溫可能達到150℃或更高，非常接近其工作極限。如若未從芯片上移除過多的熱量，這種高溫會改變并最終破壞電路的運行。
但失效分析表明，在現(xiàn)如今的系統(tǒng)設(shè)計中，這并不是唯一的問題。典型元器件故障也可能由重復(fù)發(fā)生的瞬態(tài)熱引起。加熱和散熱會在封裝結(jié)構(gòu)（固晶焊、焊點）中的材料界面處引起剪切應(yīng)力，從而導(dǎo)致分層、撕裂等。而由此導(dǎo)致的接觸面積減少將會引起熱阻的增加，進而導(dǎo)致熱量移除不足，最終可能造成熱失控。
散熱是一種三維效應(yīng)
長期以來，封裝電子元器件在產(chǎn)品說明中均使用單一熱阻表示。功率器件通常封裝在具有專用散熱表面的封裝體中，可以將其稱為“case-外殼”。在分立半導(dǎo)體（二極管、晶體管）中，器件最熱的部分是PN結(jié)。初步評估時，施加在封裝的結(jié)溫升幅等于所提供的熱阻乘以所施加的功率。
在常規(guī)電子設(shè)備以及固態(tài)照明中，結(jié)溫（TJ）是影響系統(tǒng)可靠性和使用壽命的主要因素。LED的結(jié)溫是熱設(shè)計的一個性能指標，LED光輸出的許多屬性都取決于絕對結(jié)溫。
結(jié)-殼（Rthjc）等單一熱阻值仍舊列于產(chǎn)品說明中，可用于元器件選型和早期設(shè)計階段。但是，散熱的復(fù)雜三維特性只能使用先進的仿真工具并結(jié)合熱測量進行預(yù)測。
為解決這些問題，業(yè)界開發(fā)出了瞬態(tài)熱測量方法，從而可提供比使用：例如：熱電偶等傳統(tǒng)的熱傳感器更好的解決方案。如今，為了能夠創(chuàng)建電子系統(tǒng)的最佳設(shè)計，需要精確提取熱特性。開發(fā)仿真模型時，熱特征提取技術(shù)有助于提供更好的結(jié)果。綜合使用熱特征提取、瞬態(tài)熱測試和三維熱建模，可以減少物理樣機的迭代次數(shù)、生產(chǎn)過程中的重新設(shè)計以及現(xiàn)場缺陷產(chǎn)品的召回，從而節(jié)省時間和成本。
基本意義上的瞬態(tài)熱測試是指對器件施加一個穩(wěn)定的低功率電平，然后立即切換到較高電平以觀測加熱瞬態(tài)。同樣，從較高功率電平切換到較低電平，可以監(jiān)測器件的散熱情況。這些瞬態(tài)可以完全被捕捉到，直至達到穩(wěn)態(tài)。
結(jié)構(gòu)函數(shù)：電子設(shè)備熱特性分析的革命
用于模型創(chuàng)建的瞬態(tài)熱測量的發(fā)展在Cauer階梯網(wǎng)絡(luò)模型中達到巔峰。此模型對于將電路元件與物理區(qū)域進行關(guān)聯(lián)非常有用。模型描述的特性是利用“結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線”識別熱流通路的基礎(chǔ)。布達佩斯科技與經(jīng)濟大學，微電子器件系的研究人員制定的結(jié)構(gòu)函數(shù)分析方法，可滿足對封裝內(nèi)部給出更多闡釋的需求。結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線引進了封裝半導(dǎo)體器件的熱測試方法，從而徹底改變了對熱測量的闡釋。于是，MicReD T3Ster瞬態(tài)熱分析系統(tǒng)便應(yīng)運而生了。
結(jié)構(gòu)函數(shù)將瞬態(tài)熱測量結(jié)果轉(zhuǎn)換為熱阻與熱容的關(guān)系曲線，從而提供熱量經(jīng)過的每一層（從結(jié)點到環(huán)境）的詳細熱信息。這樣就能確定固晶焊、基座、封裝、散熱器、乃至冷卻設(shè)備（如風扇）等各層材料的物理特性。
通過這種方法，熱設(shè)計人員現(xiàn)在能夠識別單芯片封裝的固晶焊故障，生成散熱基板的動態(tài)簡化模型以加快電路板級設(shè)計，對LED封裝進行熱可靠性測試，甚至評估系統(tǒng)級熱性能，例如筆記本電腦或激光打印機。
結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用示例：界面熱阻的特征提取
LED封裝的某些部分非常穩(wěn)定（例如芯片、基板、散熱片）。然而，即便是相同制造批次的樣品，用于填充附著表面之間微小間隙的導(dǎo)熱界面材料（TIM）層也可能會顯示出很大的差異。測試TIM本身無法得知所產(chǎn)生的TIM層實際的熱阻，因為接觸熱阻的存在。為了研究產(chǎn)品中的這些不可避免的差異，最好辦法就是使用結(jié)構(gòu)函數(shù)。
圖1顯示了LED應(yīng)用中的典型導(dǎo)熱界面。其質(zhì)量可通過沿熱阻軸的長度來衡量，如圖2所示。界面熱阻變化的原因可能有很多：固化/焊接溫度變化、TIM層的厚度差異、老化或故意改變質(zhì)量等。
圖1：典型LED應(yīng)用的結(jié)-環(huán)境熱流通路中的不同導(dǎo)熱界面
圖2：LED模組的微分（細線）和積分（粗線）結(jié)構(gòu)函數(shù)；圖中熱阻值的計算基于加熱功率，即針對光功率進行了扣除
測量界面材料熱導(dǎo)率
在下圖3所示的設(shè)置中，功率二極管的結(jié)溫瞬態(tài)ΔTJ(t)是在精確規(guī)定的預(yù)定材料厚度（粘結(jié)層厚度BLT）下測得的。當功率二極管發(fā)熱時，產(chǎn)生的熱量通過樣品進入下方的冷板。
圖3：基于結(jié)溫瞬態(tài)測量的DynTIM測試裝置
當利用一個精密的專用機械系統(tǒng)變更樣品厚度時，整個測試裝置的總熱阻測量結(jié)果會發(fā)生變化。圖4中的結(jié)構(gòu)函數(shù)表明，測試裝置的結(jié)-冷板總熱阻的變化完全是由材料樣品厚度的變化引起的。功率二極管的熱特性可以認為沒有改變，被測樣品任一側(cè)的界面熱阻也是如此。
圖4：在被測材料的不同預(yù)設(shè)粘結(jié)層厚度處（BLT）測量的DynTIM測試裝置的結(jié)構(gòu)函數(shù)
被測材料樣品的熱導(dǎo)率λ可以按如下方式進行計算：
其中，A為熱量穿過被測材料樣品的熱流通路的橫截面積，ΔL為粘結(jié)層厚度變化，ΔRth為測試獲得總熱阻的相應(yīng)變化。根據(jù)這一方程，被測TIM樣品的熱導(dǎo)率與樣品的Rth-BLT圖的斜率成正比，如圖5所示。
圖5：在圖3所示的DynTIM測試裝置中測量獲得的給定材料類型的熱阻與粘結(jié)層厚度的關(guān)系圖
同其它技術(shù)相比，這種TIM測試方法具有一些優(yōu)勢。例如，可減小測量的不確定性。該測試方法是一種準“原位”技術(shù)，因為測試夾具類似于TIM材料的實際應(yīng)用條件，包括厚度和壓力的調(diào)整。最后一個重要點是，每項測量都包括測量系統(tǒng)的固有特性。基于所獲得的結(jié)構(gòu)函數(shù)，總是可以檢查測試夾具的結(jié)構(gòu)完整性。該方法已在MentorGraphics DynTIM測量設(shè)備中實現(xiàn)，它會自動執(zhí)行TIM材料的測試并利用結(jié)構(gòu)函數(shù)方法進行瞬態(tài)熱分析。
通過校準提高熱模型精度
仿真模型在創(chuàng)建時，最多只能獲得與輸入數(shù)據(jù)（即器件幾何形狀和材料屬性）相匹配的精度，有些參數(shù)的不確定性，會帶來此模型仿真精度上的問題。這導(dǎo)致在計算流體動力學（CFD）仿真工具創(chuàng)建詳細模型時，始終是一個問題，哪怕是原則上至少應(yīng)當知道器件幾何形狀的半導(dǎo)體供應(yīng)商。但很多時候，材料參數(shù)以及有效體積或面積會引發(fā)一系列的問題。如前所述，詳細熱仿真模型中不確定性的一個可能來源是界面接觸熱阻，包括TIM1（固晶焊）和TIM2（例如導(dǎo)熱硅脂）兩個地方。
利用結(jié)構(gòu)函數(shù)對詳細模型進行校準/驗證背后的理念是：如果仿真模型中的幾何形狀/材料屬性和邊界條件都符合實際情況，那么測量得到的熱阻抗曲線和仿真得到的熱阻抗曲線應(yīng)當完全一致。因此，幾何形狀或材料失配造成的任何微小差異都應(yīng)該能在相應(yīng)的結(jié)構(gòu)函數(shù)中看到。
下面的案例分析說明了如何在結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線的幫助下對功率半導(dǎo)體器件封裝模型進行微調(diào)：創(chuàng)建IGBT器件，此IGBT器件采用TO-220封裝，經(jīng)過校準的詳細模型。
圖6到圖8顯示了調(diào)整仿真模型所采取的主要迭代步驟。在前期迭代階段中，應(yīng)讓芯片尺寸和有效（發(fā)熱）芯片表面區(qū)域的面積相匹配。通過這種修改，熱流通路模型的第一部分獲得了修正，如圖6所示。仿真的熱阻抗和測量的熱阻抗完全匹配，且累積熱阻值最高可達2.5K/W左右。
圖6：芯片尺寸和有效（發(fā)熱）區(qū)域面積的校正
在固晶焊層的特性也被修改后（通過調(diào)整TIM1材料的熱導(dǎo)率將界面熱阻設(shè)置為適當?shù)闹担Y(jié)構(gòu)函數(shù)曲線完全匹配，最高達到約4.4K/W，如圖7所示。
圖7：固晶焊熱阻也獲得校正
模型校準的最后一步是正確設(shè)置所用TIM2層的接觸熱阻，如圖8所示。由此，模型校準即告完成。剩下的差異要歸因于所用冷板的建模。在實際測試中，冷板的熱阻在結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線中存在，而在建模中，則使用理想冷板作為邊界條件。
圖8：最終校準模型與調(diào)整后的TIM2接觸熱阻
上述校準過程可利用Simcenter FloTHERM的CommandCenter自動完成，該工具可使用MicReD T3Ster瞬態(tài)熱測試儀提供的數(shù)據(jù)。
結(jié)論
本文通過兩個例子討論了如何使用結(jié)構(gòu)函數(shù)來分析半導(dǎo)體封裝內(nèi)部的熱特性，或者說任何復(fù)雜電子系統(tǒng)的熱特性。結(jié)構(gòu)函數(shù)還能用于其它應(yīng)用，例如：獲得多芯片封裝的熱測量，在不同環(huán)境條件下對封裝中的TIM進行系統(tǒng)內(nèi)測試，利用溫度和功率循環(huán)為可靠性分析提供數(shù)據(jù)，以及測試交流驅(qū)動LED器件等。
Simcenter MicReD的測試設(shè)備現(xiàn)在可以提供如下功能：MicReD T3Ster瞬態(tài)熱測試分析系統(tǒng)、用于分析LED的TeraLED系統(tǒng)、用于測試TIM材料的DynTIM、以及用于實驗室中或工廠車間的功率循環(huán)和封裝測試的MicReD Industrial Power Tester系列產(chǎn)品。
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