IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）中文稱為絕緣柵雙極型晶體管，是一種功率半導體器件，廣泛應用于工業制造、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源汽車、可再生能源、智能電網等戰略性新興產業領域。這些行業對于器件的使用壽命和可靠性具有極高的要求。
IGBT熱阻特性的研究對于延長器件使用壽命，提高器件可靠性具有重要的現實意義。目前測試IGBT熱阻參數的方法多為熱敏參數法，該方法的優勢在于操作簡單方便，對硬件要求低。熱敏參數法需要測量器件的殼溫，而IGBT器件封裝尺寸較大，測量過程中的誤差因素多，導致殼溫的準確性較差，熱阻結果誤差大且測試可重復性差。
與傳統的熱敏參數法相比，JESD51-14標準規定的結殼熱阻瞬態雙界面測試法具有更高的準確性和重現性，而T3Ster是目前全球唯一滿足此測試標準的儀器。通過使用T3Ster對IGBT器件進行測試，可以獲得器件的結溫瞬態變化過程曲線，得到穩態的結殼熱阻數據，還可以通過器件結構函數分析一維散熱路徑上各層材料的熱阻值。
貝思科爾近期推出了“IGBT器件結殼熱阻測試”視頻案例。本視頻重點介紹了MicReD T3Ster測試原理、IGBT熱特性測試操作步驟以及測試數據處理等內容。通過對測試過程的詳細介紹，讓大家系統了解通過T3Ster獲取IGBT的結殼熱阻以及結構函數的步驟流程。
貝思科爾實驗室介紹
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